Module VHDL INSA 4AE - Banc mémoire
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instruction_memory | ||
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README.md |
Banc de mémoire
Architecture contenant deux mémoires : une mémoire pour les données et une mémoire pour les instructions.
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Entrées/Sorties :
- Entrées :
@A(3:0)
: Adresse de la mémoire des données (4 bits).@B(3:0)
: Adresse de la mémoire des instructions (4 bits).DATA(7:0)
: Données à écrire dans la mémoire des données (8 bits).CLK
: Signal d'horloge.RST
: Signal de réinitialisation.@W(3:0)
: Adresse d'écriture pour la mémoire des données (4 bits).QA(7:0)
: Données lues depuis la mémoire des données (8 bits).QB(7:0)
: Données lues depuis la mémoire des instructions (8 bits).W
: Signal de sélection d'écriture dans la mémoire des données.
- Sorties :
- Aucune sortie spécifiée.
- Entrées :
-
Mémoire des données :
- La mémoire des données permet un accès en lecture ou en écriture.
- L'adresse de la zone mémoire est fournie par l'entrée
@
. - Pour réaliser une lecture,
RW
doit être positionné à 1. - Pour réaliser une écriture,
RW
doit être positionné à 0. Dans le cas d'une écriture, le contenu de l'entréeIN
est copié dans la mémoire à l'adresse@
. - Le signal de reset,
RST
, permet d'initialiser le contenu de la mémoire à 0x00. - Les opérations de lecture, d'écriture et de reset se font synchrones avec l'horloge
CLK
.
-
Mémoire des instructions :
- La mémoire des instructions a une structure simplifiée et s'apparente à une ROM.
- Le programme à exécuter par le microprocesseur est stocké dans cette mémoire au préalable.
- À l'exécution, toute modification du contenu de cette mémoire est empêchée.
- La lecture se fait synchrone avec l'horloge
CLK
.